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科思特高槽壓電化學(xué)工作站產(chǎn)品介紹
CS高槽壓電化學(xué)工作站采用全浮地式設(shè)計(jì),具有出色的穩(wěn)定性和精度,先進(jìn)的硬件和功能完善的軟件,為涉及能源、材料、生命科學(xué)、環(huán)保等領(lǐng)域的科技工作者提供了科研平臺。
科思特高槽壓電化學(xué)工作站特點(diǎn)
? 電流控制范圍:±2.0A
? 內(nèi)置FPGA DDS信號合成器
? 高帶寬高輸入阻抗的放大器
? 電壓控制范圍:±10V,槽壓為±30V
? 電位分辨率:10μV,電流分辨率:1pA
? 高功率恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì)
? 內(nèi)置FRA頻響分析儀,頻率范圍 10μHz ~1MHz
? 雙通道相關(guān)分析器和雙通道高速16bit /高精度24bit AD轉(zhuǎn)換器
科思特高槽壓電化學(xué)工作站應(yīng)用
? 電化學(xué)分析研究
? 金屬材料的腐蝕行為研究與耐蝕性評價(jià)
? 緩蝕劑、水質(zhì)穩(wěn)定劑、涂層以及陰極保護(hù)效率的快速評價(jià)
? 電合成、電沉積(電鍍)、陽極氧化、電解等反應(yīng)機(jī)理研究
? 能源材料(鋰離子電池、太陽能電池、燃料動力電池和超級電容器等)、先進(jìn)功能材料以及傳感器的性能研究
科思特高槽壓電化學(xué)工作站硬件參數(shù)指標(biāo)
恒電位控制范圍:±10V |
恒電流控制范圍:±2.0A |
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電位靈敏度:10μV(>100Hz), 3μV(<10Hz) |
電流靈敏度:1pA |
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電位上升時(shí)間:﹤1μS(<10mA),<10μS(<2A) |
電流量程:2nA~2A, 共10檔 |
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電位控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù)±1mV |
電流控制精度:0.1%×滿量程讀數(shù) |
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參比電極輸入阻抗:1012Ω||20pF |
較大輸出電流:2.0A |
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CA和CC脈沖寬度:0.0001~65000s |
DPV和NPV脈沖寬度:0.0001~1000s |
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CV和LSV掃描速度:0.001mV~10000V/s |
電位掃描電位增量:0.076mV @1V/mS |
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槽壓輸出:±30V |
電流掃描增量:1mA @1A/mS |
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SWV頻率:0.001~100KHz |
CV的較小電位增量:0.020mV |
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DA分辨率:16bit,建立時(shí)間:1μS |
低通濾波器 :8段可編程 |
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AD數(shù)據(jù)采集:16bit@3.6MHz,20bit @1KHz |
電流與電位量程:自動設(shè)置 |
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通訊接口:USB2.0、RJ45網(wǎng)口 |
儀器重量:7.6Kg |
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外形尺寸(cm):36.4(W)*32.0(D)*13.8(H) |
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科思特高槽壓電化學(xué)工作站電化學(xué)阻抗測量指標(biāo)
信號發(fā)生器 |
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頻率響應(yīng):10μHz~1MHz |
頻率精度:0.005% |
交流信號幅值:1mV~2500mV |
信號分辨率:0.1mV RMS |
直流偏壓:-10V~+10V |
DDS輸出阻抗:50Ω |
正弦波失真率:<1% |
波形:正弦波,三角波,方波 |
掃描方式:對數(shù)/線性,增加/下降 |
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信號分析器 |
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較小積分時(shí)間:10mS 或者一個(gè)循環(huán)的較長時(shí)間 |
測量時(shí)間延遲:0~105秒 |
較大積分時(shí)間:106個(gè)循環(huán)或者105S |
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直流偏置補(bǔ)償 |
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電流補(bǔ)償范圍:-1A~+1A |
電位補(bǔ)償范圍:-10V~+10V |
帶寬調(diào)整:自動或手動設(shè)置, 共8級可調(diào) |
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科思特高槽壓電化學(xué)工作站配置
電腦(選配*)
儀器主機(jī)1臺
模擬電解池1個(gè)
電極電纜線1條
電源線/USB數(shù)據(jù)線各1條
CS Studio測試與分析軟件1套
關(guān)鍵詞:武漢科思特、高槽壓電化學(xué)工作站、電化學(xué)工作站、單通道電化學(xué)工作站、科思特高槽壓電化學(xué)工作站